国家知识产权局信息显示，北京知识产权运营管理有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利，公开号CN121038339A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括：半导体基底，所述半导体基底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底表面且沿第一方向延伸的有源材料层、沿第二方向延伸的栅极结构，所述有源材料层的一部分垂直贯穿所述栅极结构，所述第二方向垂直所述第一方向；第三外延层，嵌入所述栅极结构两侧的所述有源材料层中；第二外延层，位于所述第三外延层下的所述有源材料层中，并与所述第三外延层的位置对应；隔离材料层，位于所述第二外延层的侧壁；第一外延层，位于所述第二外延层的底部，并与所述隔离材料层共同围合所述第二外延层侧壁和底部。所述半导体器件及其形成方法避免了源极和漏极之间形成的sub channel的漏电现象。

　　天眼查资料显示，北京知识产权运营管理有限公司，成立于2014年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本15067万人民币。通过天眼查大数据分析，北京知识产权运营管理有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目31次，财产线条，此外企业还拥有行政许可2个。

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