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北京知识产权运营管理有限公司申请半导体结构及其形成方法专利提高VFET器件性能的可靠性

作者:小编 发布时间:2026-01-22 14:00:40点击:

  国家知识产权局信息显示,北京知识产权运营管理有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利,公开号CN121335128A,申请日期为2024年7月。

  专利摘要显示,本申请提供半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:半导体衬底,所述半导体衬底表面形成有第一掺杂层,所述第一掺杂层表面形成有鳍片结构,所述鳍片结构两侧的第一掺杂层表面还形成有底部间隔层;所述鳍片结构顶面的两侧形成有顶部间隔层,所述顶部间隔层的侧壁与所述鳍片结构的侧壁平齐,所述顶部间隔层的侧壁形成有第一介质层,所述顶部间隔层之间的鳍片结构顶面形成有第二掺杂层,所述第二掺杂层延伸至所述第一介质层表面;所述第一介质层和第二掺杂层表面形成有第二介质层;所述底部间隔层表面、鳍片结构侧壁和第一介质层底面形成有栅极结构。本申请可以提高VFET栅极的形成质量,提高VFET器件性能的可靠性。

  天眼查资料显示,北京知识产权运营管理有限公司,成立于2014年,位于北京市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本15067万人民币。通过天眼查大数据分析,北京知识产权运营管理有限公司共对外kaiyun体育全站 Kaiyun登录网页投资了12家企业,参与招投标项目31次,财产线条,此外企业还拥有行政许可2个。

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